FDG313N
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG313N MOSFET Transistor, N Channel, 950 mA, 25 V, 450 mohm, 4.5 V, 800 mV
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
28mg
晶体管元件材料
SILICON
950mA Ta
2.7V 4.5V
1
750mW Ta
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
450mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
25V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
950mA
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
750mW
接通延迟时间
3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
450m Ω @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.3nC @ 4.5V
上升时间
8.5ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
8.5 ns
连续放电电流(ID)
950mA
阈值电压
800mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.95A
漏源击穿电压
25V
高度
1mm
长度
2mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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- 数据表 :
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- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :