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FDD4141
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ON SEMICONDUCTOR - FDD4141 - Power MOSFET, P Channel, 40 V, 10.8 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
10.8A Ta 50A Tc
4.5V 10V
1
2.4W Ta 69W Tc
38 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
12.3MOhm
终端形式
GULL WING
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
12.3m Ω @ 12.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2775pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 10V
上升时间
7ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
10.8A
阈值电压
-1.8V
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
50A
漏源击穿电压
-40V
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
-1.8 V
高度
2.517mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDD4141
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
40V
10.8 A
10.8A (Ta), 50A (Tc)
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20 V
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
40V
8.4 mA
8.4A (Ta), 32A (Tc)
-1.6 V
20 V
69 W
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Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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46 A
12A (Ta), 46A (Tc)
1.9 V
20 V
3.3 W
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Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
30V
-45 A
45A (Tc)
-2.5 V
20 V
2.1 W
FDD4141 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :