![FDD3860](https://static.esinoelec.com/200dimg/broadcomlimited-asmtmb00nae00-5136.jpg)
FDD3860
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
In a Pack of 5, FDD3860 N-Channel MOSFET, 29 A, 100 V PowerTrench, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
6.2A Ta
10V
1
3.1W Ta 69W Tc
24 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
36MOhm
终端形式
GULL WING
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
36m Ω @ 5.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1740pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
6.2A
阈值电压
3.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
42A
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
FDD3860
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
6.2 A
6.2A (Ta)
3.8 V
20 V
3.1 W
3.1W (Ta), 69W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
8 A
8A (Ta), 35A (Tc)
1.5 V
20 V
54 W
3.1W (Ta), 54W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
7.7 A
7.7A (Tc)
-
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 42W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
7.7 A
7.7A (Tc)
4 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 42W (Tc)
-
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
7.7A (Tc)
-
-
-
2.5W (Ta), 42W (Tc)
FDD3860 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :