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首页 / 分立半导体产品 / 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 / FDC658P /
FDC658P

FDC658P

型号:

FDC658P

品牌:

ON Semiconductor

封装:

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

数据表:

FDC658P

描述:

ON SEMICONDUCTOR - FDC658P - MOSFET Transistor, P Channel, 4 A, 30 V, 0.041 ohm, 10 V, 1.7 V

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • 质量

    36mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 4A Ta

  • 10V

  • 1

  • 1.6W Ta

  • 24 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2017

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    50mOhm

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE

  • 电压 - 额定直流

    -30V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 额定电流

    -4A

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.6W

  • 接通延迟时间

    12 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    50m Ω @ 4A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    750pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    12nC @ 5V

  • 上升时间

    14ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs（最大值）

    ±20V

  • 下降时间（典型值）

    16 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -4A

  • 阈值电压

    -1.7V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    4A

  • 漏源击穿电压

    -30V

  • 最大结点温度（Tj）

    150°C

  • 高度

    1.1mm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    1.7mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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  • FDC658P

    FDC658P

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    30V

    4A (Ta)

    -4 A

    -1.7 V

    20 V

    1.6 W

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    FDC610PZ

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    30V

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    1.6 W

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    4.9A (Ta)

    4.9 A

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