FDC658AP
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
In a Pack of 5, P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor FDC658AP
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
4A Ta
4.5V 10V
1
1.6W Ta
16 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
50MOhm
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
JESD-30代码
R-PDSO-G3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
50m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
470pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.1nC @ 5V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
4mA
阈值电压
-1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
漏源击穿电压
-30V
双电源电压
-30V
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
-1.8 V
反馈上限-最大值 (Crss)
90 pF
高度
900μm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDC658AP
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
30V
4 mA
4A (Ta)
-1.8 V
25 V
1.6 W
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Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
30V
4.9 mA
4.9A (Ta)
-2.2 V
25 V
1.6 W
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Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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5 A
5A (Ta)
1.7 V
20 V
1.6 W
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Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
30V
4.5 A
4.5A (Ta)
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Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
30V
4.9 A
4.9A (Ta)
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20 V
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FDC658AP PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :