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FDB8896
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
1.31247g
晶体管元件材料
SILICON
19A Ta 93A Tc
4.5V 10V
1
80W Tc
58 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
5.7MOhm
电压 - 额定直流
30V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
93A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
80W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.7m Ω @ 35A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2525pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
67nC @ 10V
上升时间
102ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
44 ns
连续放电电流(ID)
93A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
80A
漏源击穿电压
30V
雪崩能量等级(Eas)
74 mJ
高度
1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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-
FDB8896
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
93 A
19A (Ta), 93A (Tc)
20 V
80 W
80W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
93 A
19A (Ta), 93A (Tc)
20 V
80 W
80W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
80A (Ta)
20 V
68 W
68W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
71 A
71A (Tc)
20 V
70 W
70W (Tc)
±20V
FDB8896 PDF数据手册
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