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FCH023N65S3-F155
TO-247-3
ON SEMICONDUCTOR - FCH023N65S3-F155 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75 A, 650 V, 0.0195 ohm, 10 V, 4.5 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
75A Tc
10V
595W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperFET® III
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
元素配置
Single
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 37.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 7.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7160pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
222nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
75A
阈值电压
4.5V
场效应管特性
Super Junction
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CContinuous Drain Current (ID)Threshold VoltagePower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
FCH023N65S3-F155
Through Hole
TO-247-3
650V
75A (Tc)
75 A
4.5 V
595W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
650V
76A (Tc)
76 A
5 V
595W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
-
84A (Tc)
84 A
-
450W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
650V
54A (Tc)
54 A
-
481W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
650V
60A (Tc)
60 A
-
446W (Tc)
10V
FCH023N65S3-F155 PDF数据手册
- 数据表 : FCH023N65S3 FCH023N65S3-F155-ON-Semiconductor-datasheet-62330744.pdf FCH023N65S3_F155-Fairchild-Semiconductor-datasheet-68549526.pdf FCH023N65S3-F155-ON-Semiconductor-datasheet-85458474.pdf FCH023N65S3-F155-ON-Semiconductor-datasheet-81472116.pdf FCH023N65S3_F155-Fairchild-Semiconductor-datasheet-65932487.pdf
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