![EMZ1DXV6T1G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-nup5120x6t1g-0617.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
60V
2
120
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
500mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
额定电流
-100mA
频率
140MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
EMZ1
引脚数量
6
资历状况
Not Qualified
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
500mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
140MHz
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
最大集极截止电流
500nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
转换频率
180MHz
频率转换
180MHz 140MHz
集电极基极电压(VCBO)
-50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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50 V
100 mA
-
-
160
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EMZ1DXV6T1G PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- 到达声明 :