![CPH3350-TL-W](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-sm05t1g-6211.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
1.437803g
晶体管元件材料
SILICON
3A Ta
1.8V 4.5V
1
1W Ta
42 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1W
接通延迟时间
8.1 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
83m Ω @ 1.5A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
375pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.6nC @ 4.5V
上升时间
26ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
37 ns
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏源击穿电压
-20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
CPH3350-TL-W
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
20V
3 A
3A (Ta)
10 V
1 W
1W (Ta)
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
20V
-3.7 A
3.7A (Ta)
12 V
1.3 W
1.3W (Ta)
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
20V
-3.7 A
3.7A (Ta)
12 V
1.3 W
1.3W (Ta)
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
20V
3.5 A
3.5A (Ta)
12 V
-
1W (Ta)
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
20V
3.4 A
3.4A (Ta)
-
-
760mW (Ta)
CPH3350-TL-W PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- 到达声明 :