规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
12V
1
25
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
12V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
200mA
频率
400MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BSV52
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
300mW
功率 - 最大
225mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
400MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
12V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
40 @ 10mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
400mV @ 5mA, 50mA
转换频率
400MHz
最大击穿电压
12V
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
1.2V
高度
1.01mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentTransition FrequencyCollector Emitter Saturation VoltagehFE MinMax Power DissipationPower Dissipation
BSV52LT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
12 V
100 mA
400 MHz
400 mV
25
225 mW
300 mW
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
15 V
200 mA
500 MHz
500 mV
40
225 mW
300 mW
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
12 V
100 mA
400 MHz
400 mV
25
225 mW
-
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
15 V
50 mA
600 MHz
400 mV
20
225 mW
300 mW
BSV52LT1G PDF数据手册
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