BC858CDXV6T1G
SOT-563, SOT-666
ON Semi BC858CDXV6T1G PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 30 V; 6-Pin SOT-563
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
17 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
30V
2
420
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-30V
最大功率耗散
500mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
-100mA
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BC858CDXV6
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
功率耗散
500mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
100MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
650mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
30V
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.3mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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100 mA
100 MHz
-
270
-
BC858CDXV6T1G PDF数据手册
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