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DMP2035UTS-13

型号:

DMP2035UTS-13

封装:

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

数据表:

DMP2035UTS

描述:

MOSFET MOSFET P-CHAN

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 质量

    157.991892mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 94.1 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 最大功率耗散

    890mW

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    DMP2035UTS

  • 引脚数量

    8

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    890mW

  • 接通延迟时间

    16.8 ns

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual) Common Drain

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    35m Ω @ 4A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1610pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    15.4nC @ 4.5V

  • 上升时间

    12.4ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    42.4 ns

  • 连续放电电流(ID)

    6.04A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.045Ohm

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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