制造商是'Microchip'
Microchip 二极管 - 整流器 - 单
(6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 房屋材料 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 电容量 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 额定电流 | 频率 | 引脚数量 | 参考标准 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电压 | 极性 | 配置 | 电压 | 元素配置 | 速度 | 二极管类型 | 反向泄漏电流@ Vr | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 极数 | 箱体转运 | 电源线保护 | 电压 - 击穿 | 功率 - 脉冲峰值 | 正向电流 | 峰值脉冲电流（10/1000μs） | 保护措施 | 最大反向漏电电流 | 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 箝位电压 | 电压 - 反向断态（典型值） | 峰值脉冲电流 | 工作温度 - 结点 | 最大浪涌电流 | 输出电流-最大值 | 峰值脉冲功率 | 方向 | 测试电流 | 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值） | 平均整流电流（Io） | 正向电压 | 端子类型 | 产品类别 | 双向通道 | 相位的数量 | 反向恢复时间 | 峰值反向电流 | 最大重复反向电压(Vrrm) | Rep Pk反向电压-最大值 | JEDEC-95代码 | 电容@Vr, F | 电容@频率 | 峰值非恢复性浪涌电流 | 最高频率 | 最大非代表Pk前进电流 | 筛选水平 | 最大非代表峰值转速功率Dis | 二极管配置 | ESD保护 | 反向电流-最大值 | 恢复时间 | 击穿电压-最小值 | 重复峰值反向电压 | 反向恢复时间-最大值 | 反向恢复时间(trr) | 最小击穿电压 | 产品 | 连接类型 | Vf-正向电压 | 产品类别 | 知识产权评级 | 直径 | 长度 | 辐射硬化 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | JANTXV1N5712UBD | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | 活跃 | LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 | 小概要 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 未说明 | 无 | JANTXV1N5712UBD | RECTANGULAR | 2 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 2.23 | 表面贴装 | 4-SMD, No Lead | YES | UB | SILICON | 3 | 微芯片技术 | GE - General Electric | Military, MIL-PRF-19500/444 | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8541.10.00.70 | Schottky | DUAL | 无铅 | 未说明 | compliant | 45 A | 3 | MIL-19500/444 | R-CDSO-N3 | Qualified | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 接收电极 | 150 nA @ 16 V | 1 V @ 35 mA | -65°C ~ 150°C | 0.075 A | 16 V | 2pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N6642UBCC | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | 活跃 | 1 | Microchip / Microsemi | N | CERAMIC PACKAGE-3 | 小概要 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 未说明 | 175 °C | 无 | JANS1N6642UBCC | RECTANGULAR | 2 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 0.8 V | 5.66 | Diodes - General Purpose, Power, Switching | 表面贴装 | 3-SMD, No Lead | YES | UB | SILICON | 3 | 微芯片技术 | Miscellaneous | Waffle | - | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 冶金结合 | 8541.10.00.70 | Diodes & Rectifiers | Standard | DUAL | 无铅 | 未说明 | compliant | 3 | MIL-19500/578E | R-CDSO-N3 | Qualified | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 接收电极 | 1.2 V @ 100 mA | - | 0.3 A | - | 100 V | - | 2.5 A | 0.005 µs | 5 ns | Diodes - General Purpose, Power, Switching | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N6108AUS | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | ABB | E-MELF | 500 W | Bi-Directional | 表面贴装 | Bulk | 活跃 | 0.019013 oz | 1 | Microchip / Microsemi | N | 9.1 V | O-LELF-R2 | 长式 | GLASS | 未说明 | 无 | 2 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.44 | MELF | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 表面贴装 | SQ-MELF, B | YES | 2 | B, SQ-MELF | SILICON | 2 | 微芯片技术 | OESA-ZG5 | -55 to 175 °C | Military, MIL-PRF-19500/516 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 175 °C | -55 °C | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | END | 环绕 | 未说明 | compliant | 2 | MIL-19500/516 | SMD/SMT | O-LELF-R2 | Qualified | BIDIRECTIONAL | Single | Single | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 11.4V | 500W | 29.6A | 20 µA | 16.9V | 16.9 V | 9.1V | 29.6 A | 500 W | 双向 | 100 mA | 1 | 9.1 V | - | Military | 500 W | 有 | 11.4 V | 11.4 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N6155AUS | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ACS800R5IP21 | ACS800-U1-0050-5+P901+D150 | ABB | Panel | 活跃 | O-XELF-N2 | 长式 | UNSPECIFIED | 未说明 | 无 | 7.5 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 2.43 | 表面贴装 | SQ-MELF, C | YES | C, SQ-MELF | SILICON | 2 | 微芯片技术 | R5 | -55°C ~ 175°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500/516 | e0 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | 8541.10.00.50 | ZENER | END | 无铅 | 未说明 | compliant | 2 | MIL-19500/516 | O-XELF-N2 | Qualified | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 34.2V | 1500W (1.5kW) | 30.1A | 49.9V | 27.4V | 1 | 27.4 V | - | 300 Hz | 1500 W | 34.2 V | IP21 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N6306R | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Silicon Power Cube | Bulk | 活跃 | Stud Mount | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-5 | 微芯片技术 | 480D10SP-SPC | - | Standard | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25 µA @ 150 V | 1.18 V @ 150 A | -65°C ~ 175°C | 150 V | 70A | 60 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N6164AUS | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SQ-MELF | Bi-Directional | 表面贴装 | Bulk | 活跃 | - | 0.019013 oz | 1 | Microchip / Microsemi | N | - | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | SQ-MELF, C | C, SQ-MELF | 微芯片技术 | Hammond Manufacturing | -55 to 175 °C | Waffle | Military, MIL-PRF-19500/516 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 2 | SMD/SMT | 无 | 77.9V | 1500W (1.5kW) | 13.3A | 112.8V | 62.2V | 1 | - | Military | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N3912AR | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | IDEC | Bulk | 活跃 | Non-Compliant | Stud | Stud Mount | DO-203AB, DO-5, Stud | 2 | DO-5 | 微芯片技术 | LB7K-3ST3VB-5H | Bulk | Military, MIL-PRF-19500/308 | 150 °C | -65 °C | Standard | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.4 V @ 50 A | 50 A | -65°C ~ 150°C | 300 V | 50A | 1.4 V | 150 ns | 15 µA | 300 V | - | 400 A | 150 ns | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N1616 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | 活跃 | O-MUPM-D1 | POST/STUD MOUNT | METAL | -65 °C | 未说明 | 175 °C | 无 | JAN1N1616 | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 2.01 | DO-4 | Stud Mount | DO-203AA, DO-4, Stud | NO | DO-203AA (DO-4) | SILICON | 1 | 微芯片技术 | Miscellaneous | Military, MIL-PRF-19500/162 | e0 | 无 | Tin/Lead (Sn/Pb) | POWER | 8541.10.00.80 | Standard, Reverse Polarity | UPPER | SOLDER LUG | 未说明 | compliant | 1 | MIL-19500/162 | O-MUPM-D1 | Qualified | SINGLE | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 接收电极 | 50 µA @ 600 V | 1.5 V @ 15 A | ANODE | -65°C ~ 150°C | 15 A | 600 V | 15A | 1 | 600 V | DO-203AA | - | 100 A | 5 µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N6663US | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | cULus | Dongan Electric Manufacturing | Bulk | 活跃 | Non-Compliant | 表面贴装 | 表面贴装 | SQ-MELF, A | 2 | A, SQ-MELF | 微芯片技术 | A20-LA7 | Military, MIL-PRF-19500/587 | 175 °C | -65 °C | Standard | Single | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 1 V @ 400 mA | 500 mA | -65°C ~ 175°C | 600 V | 500mA | 1 V | 50 nA | 600 V | - | 5 A | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N6910UTK2 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | CE, CSA, UL | Cutler Hammer, Div of Eaton Corp | Panel | Bulk | 活跃 | 表面贴装 | ThinKey™2 | ThinKey™2 | 微芯片技术 | PDG33K0600E4ZN | - | Standard | 600 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.2 mA @ 15 V | 520 mV @ 25 A | -65°C ~ 150°C | 15 V | 25A | 2000pF @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N6911UTK2AS | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | O-Z Gedney | Bulk | 活跃 | 1 | Microchip / Microsemi | N | Schottky Diodes & Rectifiers | 表面贴装 | ThinKey™2 | ThinKey™2 | 微芯片技术 | CG4125 | Bulk | - | Diodes & Rectifiers | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.2 mA @ 30 V | 540 mV @ 25 A | -65°C ~ 150°C | 30 V | 25A | Schottky Diodes & Rectifiers | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HSM1100J | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMDA24C-5E3 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8 | Compliant | 150 °C | -55 °C | 35 pF | 24 V | 55 V | 双向 | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N3600 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 1N3600 | 1 | 通孔 | Microchip | Microchip / Microsemi | N | SIMILAR TO DO-7, 2 PIN | 长式 | UNSPECIFIED | -65 °C | 未说明 | 175 °C | 无 | JANTXV1N3600 | 0.5 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 1 V | 1.93 | DO-7 | Rectifiers | 通孔 | DO-204AA, DO-7, Axial | NO | DO-7 | SILICON | 2 | PEI-Genesis | Bulk | Bulk | * | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 冶金结合 | 8541.10.00.70 | Diodes & Rectifiers | - | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | MIL-19500/231H | Axial | O-XALF-W2 | Qualified | SINGLE | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 接收电极 | 100 nA @ 50 V | 1 V @ 200 mA | ISOLATED | -65°C ~ 175°C | 0.2 A | 50 V | 200mA | DO-7 | - | 4 A | 0.1 µA | 0.004 µs | 4 ns | Rectifiers | Rectifiers | 2.72 mm | 7.62 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N6075 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1 | 通孔 | Microchip | Microchip / Microsemi | N | Bulk | 1N6075 | 活跃 | Rectifiers | 通孔 | A-Package-2 | A-PAK | 微芯片技术 | 0.017637 oz | Bulk | Military, MIL-PRF-19500/503 | Diodes & Rectifiers | Axial | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard | 1 µA @ 150 V | 2.04 V @ 9.4 A | -65°C ~ 155°C | 150 V | 850mA | - | 30 ns | Rectifiers | Rectifiers | 2.79 mm | 5.21 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N6663 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | UL;CSA | Thomas & Betts | 8541100070 | Non-Compliant | 0.05 uA | 20 pF | + 175 C | 0.004409 oz | - 65 C | 1 | 通孔 | Microchip / Microsemi | 500 mA | 600 V | Bulk | 1N6663 | 活跃 | O-LALF-W2 | 长式 | GLASS | 未说明 | 无 | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.38 | DO-35 | Diodes - General Purpose, Power, Switching | 通孔 | 通孔 | DO-35 | NO | 2 | DO-35 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 6234FRXTS | Bulk | Military, MIL-PRF-19500/587 | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 125 °C | -55 °C | 8541.10.00.70 | Diodes & Rectifiers | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 60 Amps | 60 Hertz | 2 | MIL-19500/587 | O-LALF-W2 | Qualified | 共阴极 | 250 | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard | 50 nA @ 600 V | 1 V @ 400 mA | 3 | ISOLATED | 500 mA | -65°C ~ 175°C | 5 A | 0.5 A | 600 V | 500mA | 1 V | 50 nA | 600 V | DO-35 | - | 5 A | 通用二极管 | Connector | 1 V | Diodes - General Purpose, Power, Switching | IP67 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3883 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1N3883 | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | N | 150 °C | 有 | 1N3883 | 1 | 接触制造商 | GENESIC SEMICONDUCTOR INC | 1.4 V | 5.19 | Rectifiers | Stud Mount | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-4 (DO-203AA) | 微芯片技术 | Bulk | Tray | - | 有 | Diodes & Rectifiers | Standard | compliant | SINGLE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 接收电极 | 15 µA @ 400 V | 1.4 V @ 20 A | -65°C ~ 175°C | 6 A | 400 V | 6A | 400 V | 115pF @ 10V, 1MHz | 90 A | 0.2 µs | 200 ns | Rectifiers | Rectifiers | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3893R | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1N3893 | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | N | Rectifiers | Stud Mount | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA (DO-4) | 微芯片技术 | Bulk | Tray | Military, MIL-PRF-19500/304 | Diodes & Rectifiers | Standard, Reverse Polarity | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10 µA @ 400 V | 1.5 V @ 38 A | -65°C ~ 175°C | 400 V | 12A | - | 150 ns | Rectifiers | Rectifiers | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3211 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1N3211 | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | N | Rectifiers | Stud Mount | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB (DO-5) | 微芯片技术 | Bulk | Tray | - | Diodes & Rectifiers | Standard | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 10 µA @ 300 V | 1.19 V @ 90 A | -65°C ~ 200°C | 300 V | 40A | - | Rectifiers | Rectifiers | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4721 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 通孔 | Axial | Axial | 微芯片技术 | Bulk | - | Standard | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1 V @ 3 A | -65°C ~ 175°C | 200 V | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N6065A | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DO-13 | 1500 W | Bi-Directional | 通孔 | Bulk | 活跃 | 1 | Microchip / Microsemi | N | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | DO-13 | DO-13 (DO-202AA) | 微芯片技术 | Fagor Automation | -55 to 175 °C | Military, MIL-PRF-19500/507 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 2 | Single | 无 | 114V | 1500W (1.5kW) | 8.9A | 168V | 100V | 1 mA | 1 | - | Military | 有 | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N1614R | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | CE, CSA, UL | Cutler Hammer, Div of Eaton Corp | Panel | 1 | Stud Mount | Microchip / Microsemi | N | Bulk | 1N1614 | 活跃 | METAL, DO-4, 1 PIN | POST/STUD MOUNT | METAL | -65 °C | 未说明 | 175 °C | 无 | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.39 | DO-4 | Rectifiers | Stud | Chassis, Stud Mount | DO-203AA-2 | NO | 2 | DO-203AA (DO-4) | SILICON | 1 | 微芯片技术 | PDG53K0800E4CN | Tray | Military, MIL-PRF-19500/162 | e0 | 无 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 175 °C | -65 °C | POWER | 8541.10.00.80 | Diodes & Rectifiers | UPPER | SOLDER LUG | 未说明 | compliant | 800 A | 1 | MIL-19500/162 | O-MUPM-D1 | Qualified | SINGLE | Single | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard, Reverse Polarity | 50 µA @ 200 V | 1.5 V @ 15 A | CATHODE | 15 A | -65°C ~ 150°C | 15 A | 200 V | 15A | 1 | 50 µA | 200 V | 200 V | DO-203AA | - | 100 A | 100 A | Rectifiers | Rectifiers | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5811JANTXV/TR | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | CE, CSA, UL | Altech | DIN Rail | 3E1.6UM | 1.6 A | Motor | Screw | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N5711-1 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | P-M10R2-M3RF0 | Grace Technologies | 1 | Microchip / Microsemi | N | Bulk | 1N5711 | 活跃 | O-LALF-W2 | 长式 | GLASS | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 无 | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 1.87 | DO-35 | Schottky Diodes & Rectifiers | 通孔 | DO-204AH, DO-35, Axial | NO | DO-35 | Aluminum | SILICON | 2 | 微芯片技术 | (2) GFCI | Bulk | Military, MIL-PRF-19500/444 | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 冶金结合 | 8541.10.00.70 | Diodes & Rectifiers | Si | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | MIL-19500/444 | O-LALF-W2 | Qualified | SINGLE | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Schottky | 200 nA @ 70 V | 1 V @ 15 mA | ISOLATED | -65°C ~ 150°C | 0.033 A | 70 V | 33mA | DO-35 | 2pF @ 0V, 1MHz | Single | 50 | Schottky Diodes & Rectifiers | IP65 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N6642U | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 500 nA | + 175 C | 0.004833 oz | - 65 C | 1 | SMD/SMT | Microchip / Microsemi | 300 mA | 75 V | N | Bulk | 1N6642 | 活跃 | SURFACEMOUNT PACKAGE-2 | 长式 | UNSPECIFIED | -65 °C | 未说明 | 200 °C | 无 | JANTX1N6642U | 0.75 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 1.2 V | 1.18 | Diodes - General Purpose, Power, Switching | 表面贴装 | D-5D-2 | YES | D-5B | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Miscellaneous | Bulk | Military, MIL-PRF-19500/578 | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 冶金结合 | 8541.10.00.70 | Diodes & Rectifiers | END | 环绕 | 未说明 | not_compliant | 2 | MIL-19500/578E | O-XELF-R2 | Qualified | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard | 500 nA @ 75 V | 1.2 V @ 100 mA | ISOLATED | -65°C ~ 175°C | 2.5 A | 0.3 A | 75 V | 300mA | 5 | 75 V | 5pF @ 0V, 1MHz | 2.5 A | Single | 0.5 µA | 5 ns | 75 | 0.005 µs | 20 ns | 开关二极管 | 1.2 V | Diodes - General Purpose, Power, Switching |