生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

Through Hole

包装/外壳

DO-35

安装类型

Through Hole

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

DO-35

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

6234FRXTS

UL;CSA

Thomas & Betts

8541100070

Non-Compliant

0.05 uA

20 pF

+ 175 C

0.004409 oz

- 65 C

1

Through Hole

Microchip / Microsemi

500 mA

600 V

Bulk

1N6663

厂商

Microchip Technology

Active

O-LALF-W2

LONG FORM

GLASS

NOT SPECIFIED

No

ROUND

1

Active

MICROSEMI CORP

5.38

DO-35

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/587

JESD-609代码

e0

无铅代码

No

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.10.00.70

子类别

Diodes & Rectifiers

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

compliant

额定电流

60 Amps

频率

60 Hertz

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/587

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

配置

Common Cathode

电压

250

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

50 nA @ 600 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1 V @ 400 mA

极数

3

箱体转运

ISOLATED

正向电流

500 mA

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

最大浪涌电流

5 A

输出电流-最大值

0.5 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

600 V

平均整流电流（Io）

500mA

正向电压

1 V

产品类别

Diodes - General Purpose, Power, Switching

峰值反向电流

50 nA

最大重复反向电压(Vrrm)

600 V

JEDEC-95代码

DO-35

电容@Vr, F

-

峰值非恢复性浪涌电流

5 A

产品

General Purpose Diodes

连接类型

Connector

Vf-正向电压

1 V

产品类别

Diodes - General Purpose, Power, Switching

知识产权评级

IP67

辐射硬化

No