包装/外壳

D-5D-2

安装类型

Surface Mount

表面安装

YES

供应商器件包装

D-5B

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Miscellaneous

500 nA

+ 175 C

0.004833 oz

- 65 C

1

SMD/SMT

Microchip / Microsemi

300 mA

75 V

N

Bulk

1N6642

厂商

Microchip Technology

Active

SURFACEMOUNT PACKAGE-2

LONG FORM

UNSPECIFIED

-65 °C

NOT SPECIFIED

200 °C

No

JANTX1N6642U

0.75 W

ROUND

1

Active

MICROSEMI CORP

1.2 V

1.18

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/578

JESD-609代码

e0

无铅代码

No

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

METALLURGICALLY BONDED

HTS代码

8541.10.00.70

子类别

Diodes & Rectifiers

端子位置

END

终端形式

WRAP AROUND

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/578E

JESD-30代码

O-XELF-R2

资历状况

Qualified

配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

500 nA @ 75 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2 V @ 100 mA

箱体转运

ISOLATED

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

最大浪涌电流

2.5 A

输出电流-最大值

0.3 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

75 V

平均整流电流（Io）

300mA

产品类别

Diodes - General Purpose, Power, Switching

反向恢复时间

5

Rep Pk反向电压-最大值

75 V

电容@Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

最大非代表Pk前进电流

2.5 A

二极管配置

Single

反向电流-最大值

0.5 µA

恢复时间

5 ns

重复峰值反向电压

75

反向恢复时间-最大值

0.005 µs

反向恢复时间(trr)

20 ns

产品

Switching Diodes

Vf-正向电压

1.2 V

产品类别

Diodes - General Purpose, Power, Switching