规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SQ-MELF, B
底架
Surface Mount
表面安装
YES
引脚数
2
供应商器件包装
B, SQ-MELF
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
OESA-ZG5
ABB
E-MELF
500 W
Bi-Directional
Surface Mount
Bulk
厂商
Microchip Technology
Active
0.019013 oz
1
Microchip / Microsemi
N
9.1 V
O-LELF-R2
LONG FORM
GLASS
NOT SPECIFIED
No
2 W
ROUND
1
Active
MICROSEMI CORP
5.44
MELF
Military grade
操作温度
-55 to 175 °C
系列
Military, MIL-PRF-19500/516
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
AVALANCHE
端子位置
END
终端形式
WRAP AROUND
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/516
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
Qualified
极性
BIDIRECTIONAL
配置
Single
元素配置
Single
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
No
电压 - 击穿
11.4V
功率 - 脉冲峰值
500W
峰值脉冲电流（10/1000μs）
29.6A
最大反向漏电电流
20 µA
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
16.9V
箝位电压
16.9 V
电压 - 反向断态（典型值）
9.1V
峰值脉冲电流
29.6 A
峰值脉冲功率
500 W
方向
Bidirectional
测试电流
100 mA
产品类别
TVS Diodes
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
9.1 V
电容@频率
-
筛选水平
Military
最大非代表峰值转速功率Dis
500 W
ESD保护
Yes
击穿电压-最小值
11.4 V
最小击穿电压
11.4 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes