规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
供应商器件包装
UB
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
GE - General Electric
Bulk
厂商
Microchip Technology
Active
LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3
SMALL OUTLINE
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
NOT SPECIFIED
No
JANTXV1N5712UBD
RECTANGULAR
2
Active
MICROSEMI CORP
2.23
系列
Military, MIL-PRF-19500/444
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.10.00.70
技术
Schottky
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
额定电流
45 A
引脚数量
3
参考标准
MIL-19500/444
JESD-30代码
R-CDSO-N3
资历状况
Qualified
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
速度
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
二极管类型
RECTIFIER DIODE
反向泄漏电流@ Vr
150 nA @ 16 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 35 mA
工作温度 - 结点
-65°C ~ 150°C
输出电流-最大值
0.075 A
电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
16 V
电容@Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz