规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
DO-204AH, DO-35, Axial
表面安装
NO
供应商器件包装
DO-35
房屋材料
Aluminum
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
(2) GFCI
P-M10R2-M3RF0
Grace Technologies
1
Microchip / Microsemi
N
Bulk
1N5711
厂商
Microchip Technology
Active
O-LALF-W2
LONG FORM
GLASS
-65 °C
NOT SPECIFIED
150 °C
No
ROUND
1
Active
MICROSEMI CORP
1.87
DO-35
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/444
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
METALLURGICALLY BONDED
HTS代码
8541.10.00.70
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
Si
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/444
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
速度
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
200 nA @ 70 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 15 mA
箱体转运
ISOLATED
工作温度 - 结点
-65°C ~ 150°C
输出电流-最大值
0.033 A
电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
70 V
平均整流电流（Io）
33mA
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers
JEDEC-95代码
DO-35
电容@Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz
二极管配置
Single
重复峰值反向电压
50
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers
知识产权评级
IP65