null 产品销售 - PDF - null - 页 399 - 深圳市佳达源电子有限公司

类别是'存储器'

存储器 (6000)

产品型号	品牌	数据表	有效性	单价(CNY)	询价	工厂交货时间	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量																																														操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	界面	最大电源电压	最小电源电压	内存大小	端口的数量	电源电流	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	访问时间（最大）	并行/串行	I/O类型	串行总线类型	耐力	写入周期时间 - 最大值	数据保持时间	写入保护	待机电压-最小值	产品类别	座位高度(最大)
GS8342D37BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8342D37BD-300	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Commercial grade	SRAM				BGA-165	YES			165	300 MHz	0 to 85 °C	Tray		GS8342D37BD						3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B4				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant				165	R-PBGA-B165	不合格		1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V				36 Mbit	2		SYNCHRONOUS		675 mA				Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36		18 Bit	36 Mbit	0.2 A	37748736 bit	Commercial		PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM					1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm
AT28C256E-30FM/883	Atmel	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1
GS8161Z18DD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	FBGA	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	18 Bit	2.7, 3.6 V	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS8161Z18DD-200I	1048576 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	BGA	Industrial grade	SRAM				BGA-165	YES			165	153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	-40 to 85 °C	Tray		GS8161Z18DD						3A991.B.2.B	NBT				FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant				165	R-PBGA-B165			2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V				18 Mbit			SYNCHRONOUS		215 mA	6.5@Flow-Through/3@P				1 M x 18		1.4 mm	18					18	Industrial		PARALLEL		ZBT SRAM						SRAM		15 mm	13 mm
GS8342DT11BD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	9 Bit	1.9 V	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	SRAM					BGA-165					350 MHz	-40 to 100 °C	Tray		GS8342DT11BD							SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage													165											36 Mbit					675 mA	0.45				4 M x 9								36													SRAM
GS8672D19BE-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	SRAM					BGA-165					有		Tray		GS8672D19BE							SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage																								72 Mbit					1.49 A					4 M x 18								72													SRAM
GS8672T18BE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR-II	SRAM					BGA-165					有		Tray		GS8672T18BE							SigmaDDR-II						Memory & Data Storage																								72 Mbit					950 mA					4 M x 18								72													SRAM
25AA320ISNG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	小概要	1	4000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	40	85 °C	有	25AA320-I/SNG	1 MHz	4096 words	2.5 V	SOP	RECTANGULAR	Microchip Technology Inc	不推荐	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	5.25	SOIC						YES			8	3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8					e3	有				EAR99		Matte Tin (Sn)				8542.32.00.51		CMOS		DUAL	鸥翼	260	1		1.27 mm	compliant				8	R-PDSO-G8	不合格		5.5 V		INDUSTRIAL	1.8 V							SYNCHRONOUS							4KX8		1.75 mm	8						32768 bit			SERIAL		EEPROM		SPI		5 ms						4.9 mm	3.9 mm
GS880E36CGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8 Weeks	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS880E36CGT-200	262144 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.61	QFP	SRAM				TQFP-100	YES			100	有		Tray		GS880E36CGT	e3	有				3A991.B.2.B	DCD	纯哑光锡			PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1		0.65 mm	compliant				100	R-PQFP-G100	不合格		2.7 V	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	2.3 V				9 Mbit			SYNCHRONOUS		140 mA, 170 mA	6.5 ns				256 k x 36	3-STATE	1.6 mm	36				0.025 A	9437184 bit			PARALLEL	COMMON	缓存SRAM							2.3 V	SRAM		20 mm	14 mm
GS8342DT10BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade	SRAM					BGA-165					333 MHz	0 to 85 °C	Tray		GS8342DT10BGD							SigmaQuad-II+ B4						Memory & Data Storage													165											36 Mbit	2				605 mA				Pipelined	4 M x 9					20 Bit	36 Mbit			Commercial												SRAM
GS8182D09BD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Commercial grade	SRAM					BGA-165					333 MHz	0 to 70 °C	Tray		GS8182D09BD							SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													165											18 Mbit	2				515 mA				Pipelined	2 M x 9					19 Bit	18 Mbit			Commercial												SRAM
GS8182S18BGD-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR	Commercial grade	SRAM					BGA-165					375 MHz	0 to 70 °C	Tray		GS8182S18BGD							SigmaSIO DDR-II						Memory & Data Storage													165											18 Mbit	2				680 mA				Pipelined	1 M x 18					19 Bit	18 Mbit			Commercial												SRAM
GS8342TT10BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade	SRAM					BGA-165					300 MHz	-40 to 100 °C	Tray		GS8342TT10BGD							SigmaDDR-II+ B2						Memory & Data Storage													165											36 Mbit	1				460 mA				Pipelined	4 M x 9					21 Bit	36 Mbit			Industrial												SRAM
GS8342D19BD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8342D19BD-350	350 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Commercial grade	SRAM				BGA-165	YES			165	350 MHz	0 to 85 °C	Tray		GS8342D19BD						3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B4				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant				165	R-PBGA-B165	不合格		1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V				36 Mbit	2		SYNCHRONOUS		665 mA				Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18		19 Bit	36 Mbit	0.22 A	37748736 bit	Commercial		PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM					1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm
GS8672D38BE-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	SRAM					BGA-165					有		Tray		GS8672D38BE							SigmaQuad-II+ B4						Memory & Data Storage																								72 Mbit					2.05 A					2 M x 36								72													SRAM
S29GL064S80DHIV10	Cypress Semiconductor Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	13 Weeks			表面贴装	64-LBGA	YES	64			Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tray	2015	GL-S			活跃	3 (168 Hours)	64							8542.32.00.51			2.7V~3.6V	BOTTOM			1	3V	1mm								3V	3.6V			2.7V				64Mb 8M x 8 4M x 16			ASYNCHRONOUS			80ns	FLASH	Parallel		8MX8			8	60ns			64 Mb								3V								1.4mm	9mm	9mm		ROHS3 Compliant
25AA040XT-I/ST	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	6 Weeks	Tin	表面贴装	表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)		8			Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2006		e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99					DATA RETENTION > 200 YEARS; 1M ENDURANCE CYCLES				1.8V~5.5V	DUAL		260	1	2.5V	0.65mm			40	25AA040	8				5.5V	2/5V			SPI, Serial			4Kb 512 x 8		5mA		1MHz		475 ns	EEPROM	SPI					8	5ms			4 kb	0.000001A								SPI	1000000 Write/Erase Cycles	5ms	200	HARDWARE/SOFTWARE			1.2mm	4.4mm	3mm	无	ROHS3 Compliant	无铅
CY7C144AV-25AC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1				表面贴装	64-LQFP	YES				Volatile	0°C~70°C TA	Tray	2005		e0		Obsolete	3 (168 Hours)	64	EAR99		锡铅				8542.32.00.41			3V~3.6V	QUAD		235	1	3.3V	0.8mm	not_compliant		未说明	CY7C144	64	S-PQFP-G64	不合格		3.6V	3.3V		3V				64Kb 8K x 8	2				0.165mA		SRAM	Parallel		8KX8	3-STATE		8	25ns				0.00005A	65536 bit		25 ns		COMMON								2V		1.6mm	14mm	14mm		Non-RoHS Compliant
CY7C4022KV13-106FCXC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	21 Weeks			表面贴装	361-BBGA, FCBGA	YES				Volatile	0°C~70°C TA	Tray					活跃	3 (168 Hours)	361	3A991.B.2.A						8542.32.00.41			1.26V~1.34V	BOTTOM		未说明	1	1.3V	1mm			未说明			S-PBGA-B361			1.34V			1.26V				72Mb 4M x 18				1066MHz			SRAM	Parallel		4MX18			18						75497472 bit														2.765mm	21mm	21mm		ROHS3 Compliant
AT28C256E-25FM/883	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	23 Weeks	Military grade	Lead, Tin	表面贴装	表面贴装	28-CFlatPack		28	28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed		Non-Volatile	-55°C~125°C TC	Tube	1997				活跃	3 (168 Hours)					125°C	-55°C					4.5V~5.5V								250GHz		AT28C256				5V					Parallel, SPI	5.5V	4.5V	256Kb 32K x 8		50mA				250ns	EEPROM	Parallel						10ms			256 kb																				Non-RoHS Compliant	含铅
GS84032CGB-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	200 MHz	Parallel	2.3 V	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	SDR	有	84	SyncBurst	3.6 V					BGA-119					Details		Tray		GS84032CGB							Pipeline/Flow Through																														4 Mbit					160 mA, 190 mA	6.5 ns				128 k x 32
GS8182S09BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	Parallel	1.7 V	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	DDR	有	18	SigmaSIO DDR-II	1.9 V					BGA-165					300 MHz		Tray		GS8182S09BD							SigmaSIO DDR-II																														18 Mbit					495 mA					2 M x 9
GS84018CGT-166I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	166 MHz	Parallel	2.3 V	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	SDR	有	72	SyncBurst	3.6 V	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7 ns	85 °C	有	GS84018CGT-166I	262144 words	3.3 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.66					TQFP-100	YES			100	Details		Tray		GS84018CGT						3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	Pure Matte Tin (Sn)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE			CMOS		QUAD	鸥翼	260	1		0.65 mm	compliant					R-PQFP-G100			3.6 V		INDUSTRIAL	3 V				4 Mbit			SYNCHRONOUS		145 mA, 170 mA	6.5 ns				256 k x 18		1.6 mm	18						4718592 bit			PARALLEL		缓存SRAM										20 mm	14 mm
GS84018CB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	Parallel	2.3 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	SDR	有	84	SyncBurst	3.6 V					BGA-119					250 MHz		Tray		GS84018CB							Pipeline/Flow Through																														4 Mbit					145 mA, 180 mA	5.5 ns				256 k x 18
GS84036CGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	250 MHz	Parallel	2.3 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	SDR	有	72	SyncBurst	3.6 V					TQFP-100					Details		Tray		GS84036CGT							Pipeline/Flow Through																														4 Mbit					155 mA, 195 mA	5.5 ns				128 k x 36
GS84036CB-166	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	Parallel	2.3 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	SDR	有	84	SyncBurst	3.6 V	BGA,	网格排列	128000	PLASTIC/EPOXY	未说明	70 °C	无	GS84036CB-166	131072 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.73					BGA-119	YES			119	166 MHz		Tray		GS84036CB						3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE			CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1.27 mm	compliant					R-PBGA-B119			2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V				4 Mbit			SYNCHRONOUS		135 mA, 160 mA	7 ns				128 k x 36		1.99 mm	36						4718592 bit			PARALLEL		缓存SRAM										22 mm	14 mm

存储器 (6000)