![TTA1943(Q)](https://static.esinoelec.com/200dimg/toshibasemiconductorandstorage-2sa1943oq-8007.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-3PL
引脚数
3
230V
1
80
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
已出版
2009
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
150W
频率
30MHz
元素配置
Single
功率耗散
150W
增益带宽积
30MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
230V
最大集电极电流
15A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 1A 5V
最大集极截止电流
5μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
3V @ 800mA, 8A
集电极基极电压(VCBO)
230V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
高度
26mm
长度
20.5mm
宽度
5.2mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentCollector Emitter Saturation VoltagehFE MinMax Power DissipationPower Dissipation
-
TTA1943(Q)
Through Hole
TO-3PL
230 V
15 A
-3 V
80
150 W
150 W
-
Through Hole
TO-264-5
260 V
15 A
-
75
180 W
180 W
-
Through Hole
TO-247-3
260 V
15 A
-
75
150 W
150 W
-
Through Hole
TO-264-3, TO-264AA
260 V
15 A
-
75
180 W
180 W
-
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
230 V
15 A
-1.1 V
35
150 W
-