规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-243AA
表面安装
YES
供应商器件包装
PW-MINI
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Toshiba Semiconductor and Storage
Active
800 mA
NPN
Non-Compliant
5 V
1 W
+ 150 C
80
0.001764 oz
-
1000
SMD/SMT
120 MHz
Toshiba
Toshiba
800 mA
240
120 V
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
SMALL OUTLINE
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
150 °C
Yes
120 MHz
2SC2881-Y(TE12L,ZC
RECTANGULAR
1
Active
TOSHIBA CORP
5.36
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
包装
MouseReel
子类别
Transistors
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-F3
配置
Single
功率耗散
1
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
500 mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
120 @ 100mA, 5V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
1V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
120 V
转换频率
120
频率转换
120MHz
集电极基极电压(VCBO)
120 V
集电极电流-最大值(IC)
0.8 A
最小直流增益（hFE）
120
连续集电极电流
800
集电极-发射器电压-最大值
120 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT