规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-225AA, TO-126-3
供应商器件包装
TO-126N
厂商
Toshiba Semiconductor and Storage
Tray
Active
1 A
5 V
1.5 W
PNP
+ 150 C
100
0.029630 oz
-
250
Through Hole
70 MHz
Toshiba
Toshiba
2 A
320
Details
230 V
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
包装
Tray
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Single
功率 - 最大
1.5 W
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
最大集极截止电流
200nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
1.5V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
230 V
频率转换
70MHz
集电极基极电压(VCBO)
230 V
连续集电极电流
- 1 A
产品类别
Bipolar Transistors - BJT