规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-243AA
供应商器件包装
PW-MINI
厂商
Toshiba Semiconductor and Storage
Active
800 mA
PNP
5 V
1 W
+ 150 C
80
0.001764 oz
-
1000
SMD/SMT
120 MHz
Toshiba
Toshiba
800 mA
240
Details
120 V
,
2SA1201-Y(TE12L,ZC
Active
TOSHIBA CORP
5.16
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
包装
MouseReel
ECCN 代码
EAR99
子类别
Transistors
技术
Si
Reach合规守则
unknown
配置
Single
功率耗散
1
功率 - 最大
500 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
1V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
120 V
转换频率
120
频率转换
120MHz
集电极基极电压(VCBO)
120 V
连续集电极电流
800
产品类别
Bipolar Transistors - BJT