工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

供应商器件包装

PW-MOLD

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Toshiba Semiconductor and Storage

Tape & Reel (TR)

Active

500 mA

PNP

2000

Toshiba

Toshiba

Details

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

SMALL OUTLINE

PLASTIC/EPOXY

150 °C

35 MHz

2SA2142(TE16L1,NQ)

RECTANGULAR

1

Active

TOSHIBA CORP

1.57

系列

-

操作温度

150°C (TJ)

包装

Reel

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

GULL WING

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE

功率耗散

15

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

最大集极截止电流

10μA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

转换频率

35

频率转换

35MHz

最大耗散功率(Abs)

15 W

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

500

集电极-发射器电压-最大值

600 V

VCEsat-最大值

1 V

环境耗散-最大值

1 W

产品类别

Bipolar Transistors - BJT