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HY5DU121622BTP-M
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Description: DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
66
Yes
Obsolete
SK HYNIX INC
TSOP2
TSOP2, TSSOP66,.46
0.75 ns
133 MHz
33554432 words
32000000
70 °C
PLASTIC/EPOXY
TSOP2
TSSOP66,.46
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
2.5 V
JESD-609代码
e6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN BISMUTH
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
66
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.194 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.01 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR1 DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
长度
22.225 mm
宽度
10.16 mm
HY5DU121622BTP-M PDF数据手册
- 数据表 :