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H5TQ1G63DFR-H9C

型号:

H5TQ1G63DFR-H9C

品牌:

Hynix

封装:

-

描述:

DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    96

  • TFBGA, BGA96,9X16,32

  • GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • 64000000

  • PLASTIC/EPOXY

  • BGA96,9X16,32

  • 20

  • 85 °C

  • Yes

  • H5TQ1G63DFR-H9C

  • 667 MHz

  • 67108864 words

  • 1.5 V

  • TFBGA

  • RECTANGULAR

  • SK Hynix Inc

  • Obsolete

  • SK HYNIX INC

  • 5.79

  • BGA

  • JESD-609代码

    e1

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.32

  • 子类别

    DRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    96

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B96

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.575 V

  • 电源

    1.5 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.425 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.2 mA

  • 组织结构

    64MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    16

  • 待机电流-最大值

    0.01 A

  • 记忆密度

    1073741824 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    4,8

  • 交错突发长度

    4,8

  • 访问模式

    MULTI BANK PAGE BURST

  • 自我刷新

    YES

  • 宽度

    7.5 mm

  • 长度

    13 mm

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