![H5TQ1G63DFR-H9C](https://res.utmel.com/Images/category/Integrated Circuits (ICs).png)
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
96
TFBGA, BGA96,9X16,32
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
64000000
PLASTIC/EPOXY
BGA96,9X16,32
20
85 °C
Yes
H5TQ1G63DFR-H9C
667 MHz
67108864 words
1.5 V
TFBGA
RECTANGULAR
SK Hynix Inc
Obsolete
SK HYNIX INC
5.79
BGA
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
96
JESD-30代码
R-PBGA-B96
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.575 V
电源
1.5 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.425 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.2 mA
组织结构
64MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.01 A
记忆密度
1073741824 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
访问模式
MULTI BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
宽度
7.5 mm
长度
13 mm