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H5MS2562JFR-E3M
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DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 60-Pin FBGA (Alt: H5MS2562JFR-E3M)
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
60
8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
16000000
PLASTIC/EPOXY
-30 °C
NOT SPECIFIED
85 °C
Yes
H5MS2562JFR-E3M
16777216 words
1.8 V
VFBGA
RECTANGULAR
SK Hynix Inc
Obsolete
SK HYNIX INC
5.83
BGA
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
60
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
16MX16
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
记忆密度
268435456 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
宽度
8 mm
长度
10 mm