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H5AN4G8NBJR-VKC

型号:

H5AN4G8NBJR-VKC

品牌:

SK HYNIX INC

封装:

-

描述:

DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 512M X 8 1.2V 78-Pin FBGA

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    78

  • Yes

  • TFBGA,

  • GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • 512000000

  • PLASTIC/EPOXY

  • 95 °C

  • Yes

  • H5AN4G8NBJR-VKC

  • 536870912 words

  • 1.2 V

  • TFBGA

  • RECTANGULAR

  • SK Hynix Inc

  • Active

  • SK HYNIX INC

  • 5.62

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B78

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.26 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.14 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    512MX8

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    8

  • 记忆密度

    4294967296 bit

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 访问模式

    MULTI BANK PAGE BURST

  • 自我刷新

    YES

  • 宽度

    7.5 mm

  • 长度

    11 mm

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