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H5AN4G6NBJR-UHI

型号:

H5AN4G6NBJR-UHI

品牌:

SK Hynix Inc

封装:

-

描述:

DDR DRAM,

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    96

  • 268435456 words

  • 256000000

  • 95 °C

  • -40 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • TFBGA

  • RECTANGULAR

  • GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • 1.2 V

  • TFBGA,

  • SK HYNIX INC

  • Obsolete

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.36

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    20

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B96

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.26 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.14 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    256MX16

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    16

  • 记忆密度

    4294967296 bit

  • 内存IC类型

    DDR4 DRAM

  • 访问模式

    MULTI BANK PAGE BURST

  • 自我刷新

    YES

  • 宽度

    7.5 mm

  • 长度

    13 mm

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