MSB709-RT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
45V
1
210
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-45V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MSB709
引脚数量
3
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
210 @ 2mA 10V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 10mA, 100mA
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
-45V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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- PCN 报废/ EOL :
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