MMBT2369LT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ON Semi MMBT2369LT1G NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
15V
1
40
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
15V
最大功率耗散
300mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
200mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBT2369
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
300mW
功率 - 最大
225mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
15V
最大集电极电流
200mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
40 @ 10mA 350mV
最大集极截止电流
400nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
250mV @ 1mA, 10mA
转换频率
500MHz
最大击穿电压
15V
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
4.5V
高度
940μm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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MMBT2369LT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
15 V
200 mA
500 MHz
250 mV
40
300 mW
300 mW
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15 V
200 mA
500 MHz
500 mV
40
225 mW
300 mW
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
40 V
200 mA
300 MHz
300 mV
40
300 mW
300 mW
SOT-23-3
15 V
200 mA
500 MHz
500 mV
40
225 mW
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MMBT2369LT1G PDF数据手册
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