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首页 / 分立半导体产品 / 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 / MJD31CT4G /
MJD31CT4G

MJD31CT4G

型号:

MJD31CT4G

品牌:

ON Semiconductor

封装:

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

数据表:

MJD31 (NPN), MJD32 (PNP)

描述:

TRANS NPN 100V 3A DPAK

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 100V

  • 1

  • 25

  • 操作温度

    -65°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电压 - 额定直流

    100V

  • 最大功率耗散

    1.56W

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 额定电流

    3A

  • 频率

    3MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MJD31

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    1.56W

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    3MHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    100V

  • 最大集电极电流

    3A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    10 @ 3A 4V

  • 最大集极截止电流

    50μA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    1.2V @ 375mA, 3A

  • 转换频率

    3MHz

  • 最大击穿电压

    100V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    100V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 高度

    2.38mm

  • 长度

    6.73mm

  • 宽度

    6.22mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    MJD31CT4G

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    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    100 V

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