KST56MTF
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
80V
1
50
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
电压 - 额定直流
-80V
最大功率耗散
350mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
-500mA
频率
50MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
KST56
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
功率耗散
350mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
50 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
250mV @ 10mA, 100mA
转换频率
50MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
-80V
发射极基极电压 (VEBO)
-4V
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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KST56MTF
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
80 V
500 mA
50 MHz
-250 mV
50
350 mW
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50 MHz
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100
300 mW
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100
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50 MHz
-250 mV
50
350 mW
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60 V
500 mA
-
250 mV
100
350 mW
KST56MTF PDF数据手册
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