KST06MTF
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
80V
1
50
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
350mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
500mA
频率
100MHz
基本部件号
KST06
元素配置
Single
功率耗散
350mW
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
50 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
250mV @ 10mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
4V
高度
970μm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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