![KSE2955T](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-scd7912btg-8243.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220-3
60V
10A
1
20
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
600mW
额定电流
-10A
频率
2MHz
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
600mW
功率 - 最大
600mW
增益带宽积
2MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
8V
最大集电极电流
10A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 4A 4V
最大集极截止电流
700μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
8V @ 3.3A, 10A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
频率转换
2MHz
集电极基极电压(VCBO)
-70V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CasePolarityCollector Emitter Breakdown VoltageVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Max Collector CurrentFrequency - TransitionhFE MinMax Power Dissipation
-
KSE2955T
Through Hole
TO-220-3
PNP
60 V
60V
10 A
2MHz
20
600 mW
-
Through Hole
TO-220-3
-
60 V
-
10 A
-
60
1.67 W
-
Through Hole
TO-220-3
-
60 V
-
10 A
-
750
70 W
-
Through Hole
TO-220-3
PNP
60 V
60V
1 A
3MHz
15
2 W
KSE2955T PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
- 到达声明 :