规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
晶体管元件材料
SILICON
70V
1
20
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电压 - 额定直流
70V
最大功率耗散
40W
额定电流
5A
频率
10MHz
JESD-30代码
R-PSFM-T3
元素配置
Single
功率耗散
40W
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
10MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
70V
最大集电极电流
5A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
40 @ 5A 5V
最大集极截止电流
20μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
1V @ 500mA, 5A
转换频率
10MHz
集电极基极电压(VCBO)
150V
发射极基极电压 (VEBO)
8V
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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KSD362R
Through Hole
TO-220-3
70 V
5 A
10 MHz
20
40 W
40 W
Through Hole
TO-220-3
80 V
4 A
8 MHz
40
30 W
30 W
Through Hole
TO-220-3
80 V
4 A
8 MHz
40
30 W
30 W
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
80 V
4 A
-
40
25 W
25 W
KSD362R PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
- 到达声明 :