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FJX945GTF

型号:

FJX945GTF

封装:

SC-70, SOT-323

数据表:

FJX945

描述:

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 引脚数

    3

  • 质量

    30mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 50V

  • 1

  • 70

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    50V

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 额定电流

    150mA

  • 频率

    300MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 基本部件号

    FJX945

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    200mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    300MHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50V

  • 最大集电极电流

    150mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    200 @ 1mA 6V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 10mA, 100mA

  • 转换频率

    300MHz

  • 最大击穿电压

    50V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    60V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 高度

    900μm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    1.25mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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