![BCW65ALT1](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-nup2105lt1g-6415.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
32V
1
35
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
电压 - 额定直流
32V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
800mA
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
BCW65
引脚数量
3
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
功率耗散
300mW
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
32V
最大集电极电流
800mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
20nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
转换频率
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
800mA
关断时间-最大值(toff)
400ns
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentTransition FrequencyCollector Emitter Saturation VoltagehFE MinMax Power Dissipation
-
BCW65ALT1
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
32 V
800 mA
100 MHz
700 mV
35
225 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
50 V
100 mA
250 MHz
-
30
200 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
40 V
100 mA
125 MHz
250 mV
40
225 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
40 V
100 mA
125 MHz
250 mV
40
225 mW
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
50 V
100 mA
-
-
35
246 mW
BCW65ALT1 PDF数据手册
- 数据表 :
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