BC858C
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount, Through Hole
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
40V
100mA
420
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
-30V
最大功率耗散
625mW
额定电流
-100mA
基本部件号
BC858
极性
PNP
元素配置
Single
功率 - 最大
310mW
增益带宽积
200MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
650mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
30V
最大击穿电压
30V
频率转换
150MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
No
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
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PNP
50 V
50V
100 mA
200MHz
30
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
PNP
45 V
45V
500 mA
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BC858C PDF数据手册
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