![BC556ABU](https://static.esinoelec.com/200dimg/microchiptechnology-11aa010ito-9503.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
质量
179mg
晶体管元件材料
SILICON
65V
1
110
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-65V
最大功率耗散
500mW
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
额定电流
-100mA
频率
150MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
BC556
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
功率耗散
500mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
150MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
65V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
110 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
转换频率
150MHz
集电极基极电压(VCBO)
-80V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
高度
5.33mm
长度
5.2mm
宽度
4.19mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentTransition FrequencyCollector Emitter Saturation VoltagehFE MinMax Power Dissipation
-
BC556ABU
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
65 V
100 mA
150 MHz
-250 mV
110
500 mW
-
Surface Mount, Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
65 V
100 mA
150 MHz
-250 mV
110
500 mW
-
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
50 V
100 mA
-
-
150
625 mW
-
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
65 V
100 mA
-
-250 mV
110
500 mW
BC556ABU PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 到达声明 :