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NXH50M65L4Q1SG

型号:

NXH50M65L4Q1SG

品牌:

onsemi

封装:

Module

描述:

Q1PACK 50A 650V

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Chassis Mount

  • 包装/外壳

    Module

  • 供应商器件包装

    56-PIM (93x47)

  • 厂商

    onsemi

  • Tray

  • Active

  • 48 A

  • 72 W

  • + 150 C

  • - 40 C

  • 21

  • onsemi

  • onsemi

  • Details

  • 650 V

  • 系列

    -

  • 操作温度

    175°C (TJ)

  • 包装

    Tray

  • 子类别

    IGBTs

  • 配置

    Full Bridge

  • 功率 - 最大

    86 W

  • 输入

    Standard

  • 产品类别

    IGBT Modules

  • 最大集极截止电流

    300 μA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    650 V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.22V @ 15V, 50A

  • IGBT类型

    Trench Field Stop

  • NTC热敏电阻

    Yes

  • 输入电容(Cies)@Vce

    3.137 nF @ 20 V

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 产品类别

    IGBT Modules

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  • 数据表 :