![NXH50M65L4Q1SG](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Chassis Mount
包装/外壳
Module
供应商器件包装
56-PIM (93x47)
厂商
onsemi
Tray
Active
48 A
72 W
+ 150 C
- 40 C
21
onsemi
onsemi
Details
650 V
系列
-
操作温度
175°C (TJ)
包装
Tray
子类别
IGBTs
配置
Full Bridge
功率 - 最大
86 W
输入
Standard
产品类别
IGBT Modules
最大集极截止电流
300 μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.22V @ 15V, 50A
IGBT类型
Trench Field Stop
NTC热敏电阻
Yes
输入电容(Cies)@Vce
3.137 nF @ 20 V
产品
IGBT Silicon Modules
产品类别
IGBT Modules