规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
Module
安装类型
Chassis Mount
供应商器件包装
56-PIM (93x47)
PIM
Through Hole
101 A
Active
Tray
厂商
onsemi
±20V
Q2BOOST - Case 180BG (Pb-Free and Halide-Free Press Fit Pins)
1000 V
234 W
+ 150 C
- 40 C
12
onsemi
onsemi
1000 V
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
类型
Si/SiC Hybrid Module
子类别
IGBTs
引脚数量
56
配置
2 Independent
功率耗散
234W
功率 - 最大
234 W
输入
Standard
产品类别
IGBT Modules
最大集极截止电流
600 μA
电压 - 集射极击穿（最大值）
1000 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.25V @ 15V, 150A
连续集电极电流
101A
IGBT类型
-
NTC热敏电阻
Yes
输入电容(Cies)@Vce
9.342 nF @ 20 V
产品
IGBT Silicon Carbide Modules
产品类别
IGBT Modules