![NXH350N100H4Q2F2S1G](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Chassis Mount
包装/外壳
Module
供应商器件包装
42-PIM/Q2PACK (93x47)
厂商
onsemi
Tray
Active
303 A
NXH350
1000 V
Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)
±20V
12
onsemi
onsemi
系列
-
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
配置
Three Level Inverter
功率耗散
592W
功率 - 最大
276 W
输入
Standard
最大集极截止电流
1 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1000 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 375A
连续集电极电流
303A
IGBT类型
Trench Field Stop
NTC热敏电阻
Yes
输入电容(Cies)@Vce
24.146 nF @ 20 V
产品类别
onsemi