![NXH300B100H4Q2F2PG](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Chassis Mount
包装/外壳
Module
供应商器件包装
27-PIM (71x37.4)
厂商
onsemi
Tray
Active
73 A
±20V
93x47 (PRESSFIT) (Pb-Free and Halide-Free Press Fit Pins), Q2BOOST - PIM53
1000 V
194 W
+ 150 C
- 40 C
12
onsemi
onsemi
Details
1000 V
系列
-
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tray
子类别
IGBTs
配置
Dual, Common Source
功率耗散
194W
功率 - 最大
194 W
输入
Standard
产品类别
IGBT Modules
最大集极截止电流
800 μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1118 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.25V @ 15V, 100A
连续集电极电流
73A
IGBT类型
Trench Field Stop
NTC热敏电阻
Yes
输入电容(Cies)@Vce
6.323 nF @ 20 V
产品
IGBT Silicon Carbide Modules
产品类别
IGBT Modules