![NXH50M65L4C2SG](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
供应商器件包装
27-DIP
厂商
onsemi
Tube
Active
50 A
DIP
-
+ 150 C
- 40 C
6
onsemi
onsemi
N
650 V
系列
-
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
包装
Tube
子类别
IGBTs
引脚数量
27
配置
Three Phase Inverter
功率耗散
-
功率 - 最大
20 mW
输入
Single Phase Bridge Rectifier
产品类别
IGBT Modules
最大集极截止电流
250 μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V, 75A
连续集电极电流
50A
IGBT类型
-
NTC热敏电阻
Yes
输入电容(Cies)@Vce
4.877 nF @ 20 V
产品
IGBT Silicon Modules
产品类别
IGBT Modules