工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

NI-1230

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

2

225°C

133V

Military grade

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

Not Applicable

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

230MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MRFE6VP61K25

JESD-30代码

R-CDFM-F4

资历状况

Not Qualified

配置

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS

操作模式

ENHANCEMENT MODE

箱体转运

SOURCE

测试电流

100mA

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

LDMOS (Dual)

增益

24dB

DS 击穿电压-最小值

125V

功率 - 输出

1250W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1300W

电压-测试

50V

RoHS状态

ROHS3 Compliant