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MRFE6VP100HR5

型号:

MRFE6VP100HR5

品牌:

NXP USA Inc.

封装:

NI780-4

描述:

RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 包装/外壳

    NI780-4

  • 150°C

  • 133V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    Not Applicable

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.29.00.75

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 频率

    512MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MRFE6VP100

  • 测试电流

    100mA

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 增益

    26dB

  • 功率 - 输出

    100W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 电压-测试

    50V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Package / Case
    ECCN Code
    RoHS Status
    Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
    FET Technology
    HTS Code
    Voltage - Test
    Transistor Element Material
  • MRFE6VP100HR5

    MRFE6VP100HR5

    NI780-4

    EAR99

    ROHS3 Compliant

    40

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

    8541.29.00.75

    50V

    -

  • MRF6V3090NBR1

    TO-272BB

    EAR99

    ROHS3 Compliant

    40

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

    8541.29.00.75

    50V

    SILICON

  • VS-FB190SA10

    SOT-227-4, miniBLOC

    EAR99

    ROHS3 Compliant

    -

    -

    -

    -

    SILICON

  • MRF6V2010NBR1

    TO-272BC

    EAR99

    RoHS non-compliant

    40

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

    8541.29.00.75

    50V

    SILICON

  • MRF6VP3091NBR1

    TO-272BB

    EAR99

    ROHS3 Compliant

    40

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

    8541.29.00.75

    50V

    SILICON

MRFE6VP100HR5 PDF数据手册