![MRFE6S9060NR1](https://static.esinoelec.com/200dimg/nxpusainc-mmrf1012nr1-9885.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
TO-270AA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
1
225°C
66V
Military grade
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
频率
880MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRFE6S9060
JESD-30代码
R-PDFM-F2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
SOURCE
测试电流
450mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
21.1dB
DS 击穿电压-最小值
66V
功率 - 输出
14W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseOperating Temperature (Max)Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)Transistor ApplicationNumber of TerminationsTerminal PositionTransistor Element MaterialFET Technology
-
MRFE6S9060NR1
TO-270AA
225 °C
40
AMPLIFIER
2
DUAL
SILICON
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
TO-270AA
225 °C
40
AMPLIFIER
2
DUAL
SILICON
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
TO-270BA
225 °C
40
AMPLIFIER
2
DUAL
SILICON
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
TO-270AA
225 °C
40
AMPLIFIER
2
DUAL
SILICON
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
TO-270AA
225 °C
40
AMPLIFIER
2
DUAL
SILICON
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MRFE6S9060NR1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :