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MRFE6S9060NR1

型号:

MRFE6S9060NR1

品牌:

NXP USA Inc.

封装:

TO-270AA

数据表:

MRFE6S9060NR1

描述:

FET RF 66V 880MHZ TO270-2

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 包装/外壳

    TO-270AA

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1

  • 225°C

  • 66V

  • Military grade

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.29.00.75

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 频率

    880MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MRFE6S9060

  • JESD-30代码

    R-PDFM-F2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 测试电流

    450mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 增益

    21.1dB

  • DS 击穿电压-最小值

    66V

  • 功率 - 输出

    14W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 电压-测试

    28V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Operating Temperature (Max)
    Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
    Transistor Application
    Number of Terminations
    Terminal Position
    Transistor Element Material
    FET Technology
  • MRFE6S9060NR1

    MRFE6S9060NR1

    TO-270AA

    225 °C

    40

    AMPLIFIER

    2

    DUAL

    SILICON

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • MW6S010NR1

    TO-270AA

    225 °C

    40

    AMPLIFIER

    2

    DUAL

    SILICON

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • MRF6S20010GNR1

    TO-270BA

    225 °C

    40

    AMPLIFIER

    2

    DUAL

    SILICON

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • MRFE6S9045NR1

    TO-270AA

    225 °C

    40

    AMPLIFIER

    2

    DUAL

    SILICON

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • MRF6S27015NR1

    TO-270AA

    225 °C

    40

    AMPLIFIER

    2

    DUAL

    SILICON

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

MRFE6S9060NR1 PDF数据手册