![MRF6S20010GNR1](https://static.esinoelec.com/200dimg/nxpusainc-mw6s010gnr1-0212.jpg)
MRF6S20010GNR1
TO-270BA
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
TO-270BA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
1
225°C
68V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
2.17GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF6S20010
JESD-30代码
R-PDFM-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
SOURCE
测试电流
130mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
15.5dB
DS 击穿电压-最小值
68V
功率 - 输出
10W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseOperating Temperature (Max)Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)Transistor ApplicationNumber of TerminationsTerminal PositionTransistor Element MaterialFET Technology
-
MRF6S20010GNR1
TO-270BA
225 °C
40
AMPLIFIER
2
DUAL
SILICON
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
TO-270AA
225 °C
40
AMPLIFIER
2
DUAL
SILICON
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
TO-270AA
225 °C
40
AMPLIFIER
2
DUAL
SILICON
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
TO-270AA
225 °C
40
AMPLIFIER
2
DUAL
SILICON
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
TO-270AA
225 °C
40
AMPLIFIER
2
DUAL
SILICON
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MRF6S20010GNR1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :