规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-92
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
50mA
NTE319P
NTE Electronics
CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
CYLINDRICAL
PLASTIC/EPOXY
300 MHz
ROUND
1
Active
NTE ELECTRONICS INC
2.16
TO-92
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
Other Transistors
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-W3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
功率 - 最大
625mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
20 @ 2mA, 10V
JEDEC-95代码
TO-92
增益
29dB
电压 - 集射极击穿（最大值）
20V
频率转换
500MHz
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
集电极电流-最大值(IC)
0.05 A
最小直流增益（hFE）
35
集电极-发射器电压-最大值
20 V
最高频段
VERY HIGH FREQUENCY BAND
集电极-基极电容-最大值
0.22 pF
噪音数字(分贝类型@ f)
2.7dB @ 45MHz